2024年存储器产业全景洞察：东芯半导体的创新与布局

“利基型DRAM涵盖DDR3、小容量DDR4及低功耗产品，市场规模约为100亿美元。当前，国际主流存储供应商在该领域的市场份额不足5%。随着这些供应商逐步退出利基型市场，国内存储供应商迎来了宝贵的发展机遇。”8rOesmc

在3月27日的2025中国IC领袖峰会上，东芯半导体副总经理陈磊指出，目前超9成存储芯片市场份额被国外存储厂商占据，但国产存储企业在利基型DRAM市场的商机正在显现。此外，他还分享了东芯半导体的6大产品布局，以及从设计、流片到封测均实现国产化的供应链。8rOesmc

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东芯半导体副总经理陈磊8rOesmc

2024年存储器产业全景洞察

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2024年对于存储器产业而言是值得瞩目的年份，全球存储器市场规模已突破1,600亿美元。根据TrendForce统计数据显示，在全球存储器领域，2024年前五大供应商均为海外企业，它们占据了超过90%的市场份额；在国内存储器市场，长江存储和长鑫存储是主要的供应商。8rOesmc

如果简单地分类，大致可以把存储器分为NAND Flash、NOR Flash和DRAM三类。得益于5G、AI、汽车电子等领域的不断发展，DRAM、NAND Flash、NOR Flash也各自有不同的技术演进方向。8rOesmc

其中，NAND Flash在智能穿戴领域的发展迅猛，从早期用于简单的手环、手表，到现在用于可安装APP、表盘显示丰富的智能手表，其应用场景也在随着终端产品的演进而不断拓展。同时，SLC NAND Flash在服务器领域也有应用，如阵列卡和BMC等部件正逐步采用SLC NAND。在AI服务器中，NAND Flash主要用于大量数据存储和企业级固态硬盘(SSD)。8rOesmc

NOR Flash主要应用在长尾市场，其市场营收从20年前的上百亿美元，降至如今的约26亿美元，整个市场呈现出长尾的特征。尽管其市场规模已经缩小，但如今NOR Flash在多个领域仍被广泛应用。8rOesmc

比如，在消费电子领域，智能穿戴设备及家用DVB-C、DVB-S等设备常用NOR Flash；在汽车电子领域，NOR Flash的应用不断拓展，如汽车摄像头和ADAS系统等；在通信领域，4G和5G通信设备需要高容量NOR Flash来满足数据存储和程序运行需求，基站部署推动其在通信领域的应用；在人工智能领域，NOR Flash在GPU显卡中用于存储固件和驱动程序，确保显卡的正常运行和高性能表现。8rOesmc

DRAM主要分为DDR、LPDDR和GDDR三类，广泛应用于计算机、移动设备和图形处理等领域。其中，DDR适用于计算机、服务器等高性能计算设备；LPDDR则针对移动设备，如手机和平板电脑，因其低功耗特性而受到青睐；GDDR主要用于图形处理，满足显卡等设备对高带宽的需求。8rOesmc

此外，随着技术的不断进步，基于DRAM研发的HBM(高带宽存储器)逐渐崭露头角。HBM通过3D堆叠技术实现了更高的带宽和更低的功耗，适用于高通GPU、算力卡等对数据处理能力要求极高的应用场景。8rOesmc

2025年国内存储芯片市场：增长、机遇与国产化

目前，国内存储芯片市场呈现出持续增长的趋势。根据中商产业研究院数据显示，预计2025年国内市场将达到4,580亿人民币的规模。8rOesmc

不过，存储是一个周期性很强的行业。在过去几年间，存储行业经历了几个重要阶段：2020年时，整个行业曾陷入供不应求的困境；而随着2021年和2022年的市场扩张，到了2023年，供应商和大型电子行业客户纷纷采取去库存的措施以应对市场变化。8rOesmc

与此同时，人工智能的迅猛发展也为存储芯片带来了新的机遇。从云端大规模算力训练到端侧推理，甚至在算力仅几十Tops的小型端侧设备上，存储芯片的搭配需求也在不断增加，这将成为未来市场的重要增长点。8rOesmc

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但在利基型市场，存储应用正在经历萎缩的情况。在此背景下，国外主流厂商正退出利基型市场，不过却也给中国本土存储带来份额替换的机遇。8rOesmc

“利基型DRAM涵盖DDR3、小容量DDR4及低功耗产品，市场规模约为100亿美元。当前，国际主流存储供应商在该领域的市场份额不足5%。随着这些供应商逐步退出利基型市场，国内存储供应商迎来了宝贵的发展机遇。”陈磊分析称。8rOesmc

整体来看，存储器行业的发展、国内半导体产业的自主创新与国产化趋势紧密相连。自2014年政府发布半导体指导方针文件以来，在过去十年间，国内半导体公司在各个赛道上积极布局，致力于国产替代和构建全国产供应链。政府的支持和稳定且旺盛的国内市场需求，尤其是消费类和人工智能领域的强劲需求，成为推动企业技术创新和国产替代的动力。8rOesmc

存储器领域深耕者，多元化布局拓展新增长极

东芯半导体成立于2014年，专注于国产存储器设计，是国内少数能够同时提供NAND Flash、NOR Flash和DRAM设计工艺及产品方案的本土存储芯片研发设计公司。8rOesmc

在供应链方面，该公司坚持“双轨并行”的发展策略，积极拓展境内外双代工模式。根据陈磊的介绍，东芯半导体的总部和国内研发中心位于上海，同时在韩国也有设立研发中心，并控股一家韩国子公司，以拓展海外市场推广。8rOesmc

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在技术演进方面，截至2025年3月底，东芯半导体在NAND Flash方面已从38nm进步到2xnm，初步完成了1xnm设计，新产品计划在2025年内推向市场；对于NOR Flash，公司从65nm起步，去年量产了55nm产品，现在正在设计48nm NOR Flash，与国际大厂处于同一技术水平；在DRAM产品线上，公司量产的产品基于台湾代工厂的工艺，包括63nm及最新的25nm，主要生产DDR3。8rOesmc

在封测环节，东芯半导体与中国上海、中国台湾和韩国的合作伙伴共同完成。基于以上各环节的生态合作伙伴布局，东芯半导体具备从设计、流片到封装测试的全流程国内完成能力。目前，该公司已完成全国产化供应链的整合，并以存储器为依托，通过产品外延拓展，致力于为客户提供更多符合国产化半导体标准的产品。8rOesmc

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前面有提到利基型市场，东芯半导体基于该市场布局了完整的六大产品线：从SPI NAND Flash、SPI NOR、DDR3、PPI NAND、LPDDR1/2/4X到MCP。“我们的NOR Flash基于ETOX技术，具有高可靠性，已推出适用于汽车环境的-40℃至125℃车规级产品。该产品广泛应用于消费电子领域，如智能手环、手表、共享单车，以及扫码支付设备等，融入生活的方方面面。”8rOesmc

陈磊还补充说，在DRAM方面，东芯半导体采用完全正向设计，实现国产化，展现了强大的自主创新能力和技术实力。整体来看，公司的产品主要应用于通信、工业控制、汽车电子等领域。其中，NOR Flash和NAND Flash产品已达到车规级标准，并在车厂的5G Box及V2X中得到应用。“公司对产品质量高度重视，从研发到生产测试再到技术支持，全部由自身完成，确保质量这一生命线。”8rOesmc

在演讲的最后，陈磊还介绍了公司2024年在业务上的最新拓展，包括成立了全资子公司亿芯通感，专注于Wi-Fi 7产品的研发；还投资了国内GPU厂家砺算科技，进一步丰富了公司的产品线和技术储备。8rOesmc

以上这些举措，彰显了东芯半导体在拓展业务领域、丰富产品线和增强技术实力方面的坚定决心和战略布局，有助于公司更好地满足市场需求，提升综合竞争力。8rOesmc